目标良率 70%: 三星挑战台积电霸主地位, 全力备战 2nm GAA 工艺

IT之家7月22日消息，韩媒chosu今天（7月22日）发布博文，援引供应链消息，报道称三星已启动“精选和聚焦”战略，集中资源提升2nm工艺良率，希望通过产量和成本优势来挑战台积电。

消息源表示三星电子预估，2nm芯片需求至少会持续3年以上，为了避免重复3nm工艺的失败，公司正致力于加强芯片散热和稳定性，并进一步提高芯片性能。

三星电子目前正在平泽等园区建设2nm工艺生产线，并推迟1.4nm工艺量产计划至2029年（原计划2027年量产），以便集中精力提高2nm工艺的良率。

将原计划在2027年量产的1.4纳米工艺推迟到2029年，以便集中精力提高2纳米工艺的收益率。三星电子的GAA晶体管技术，在2纳米工艺中也可应用，这有助于技术稳定。

IT之家本月曾报道，台积电、英特尔、三星电子的2nm代工节点（N2、Intel18A、SF2）良率分别约为65%、55%、40%，而三星的目标是将良率提升到70%。

三星在提升良率同时，将进一步扩展部署全环绕栅极（GAA）晶体管方案，第二代工艺已基本完成设计，目前正研究名为“SF2P+”第三代工艺，并计划在未来2年内实施。

尽管道路艰难，但最新报告显示，三星正在逐步改进其下一代光刻技术，预计该节点制造的芯片在未来四年内将会有巨大需求。